原標題:華人科學家首獲“先驅(qū)獎”
日前,在第27屆國際功率半導體器件與集成電路年會上,電子科技大學教授、中國科學院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計的卓越貢獻,獲“國際功率半導體先驅(qū)獎”,成為首位獲得該獎項的華人科學家。
國際功率半導體器件與集成電路年會是功率半導體領(lǐng)域頂級學術(shù)年會,自1992年開始舉辦,每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎項。(彭麗)